Производитель IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Технология HiPerFET™, Polar™
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 500В
Ток стока 44А
Рассеиваемая мощность 658Вт
Корпус TO247-3
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 140мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 98нC
Вид канала обогащенный
Время готовности 200нс
Тип транзистора N-MOSFET
Технология HiPerFET™, Polar™
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 500В
Ток стока 44А
Рассеиваемая мощность 658Вт
Корпус TO247-3
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 140мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 98нC
Вид канала обогащенный
Время готовности 200нс
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
Информация для заказа
- Цена: 275 ₴

