Виробник IXYS
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HiPerFET™, Polar™
Полярність польова
Напруга сток-витік 500В
Струм стоку 44А
Розсіювана потужність 658Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор-витік ±30В
Опір у відкритому стані 140мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 98нC
Вид каналу збагачений
Час готовності 200нс
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HiPerFET™, Polar™
Полярність польова
Напруга сток-витік 500В
Струм стоку 44А
Розсіювана потужність 658Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор-витік ±30В
Опір у відкритому стані 140мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 98нC
Вид каналу збагачений
Час готовності 200нс
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 275 ₴

